发明名称 |
指纹传感器及其制作方法 |
摘要 |
提供一种指纹传感器及其制作方法,利用微电子机械系统(MEMS)工艺将各元件同时制作成薄膜形状,以便提高指纹鉴定速度。指纹传感器包括:形成在第一类型掺杂剂掺杂的衬底上的互补型金属氧化物半导体结构;形成在互补型金属氧化物半导体结构上的绝缘层;形成在绝缘层中心部分的下电极;形成在下电极上的压电区域;形成在压电层上的上电极;和形成为覆盖其上没有形成下电极的绝缘层的上表面部分、下电极、压电区域和上电极的指纹接触层。 |
申请公布号 |
CN1619816A |
申请公布日期 |
2005.05.25 |
申请号 |
CN200410068284.4 |
申请日期 |
2004.08.27 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
南润宇 |
分类号 |
H01L27/092;H01L41/08;H01L21/00;B06B1/06;G06K9/00 |
主分类号 |
H01L27/092 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种使用超声波的指纹传感器,包括:形成在第一类型掺杂剂掺杂的衬底上的互补型金属氧化物半导体结构;形成在所述互补型金属氧化物半导体结构上的绝缘层;形成在所述绝缘层的中心部分的下电极;形成在所述下电极上的压电区域;以及形成在所述压电层上的上电极;形成为覆盖其上没有形成所述下电极的所述绝缘层的上表面部分、所述下电极、所述压电区域和所述上电极的指纹接触层。 |
地址 |
韩国京畿道 |