发明名称 双重镶嵌结构的制造方法
摘要 一种双重镶嵌结构的制造方法,此方法的步骤如下:首先提供已形成导电层的基底,于此基底上依序形成第一介电层、第二介电层以及同时作为底层抗反射层的顶盖层。然后,定义顶盖层、第二介电层与第一介电层以形成暴露导电层的介层窗开口。接着,于顶盖层上形成一负光阻层,再图案化负光阻层以形成一开口。接着以负光阻层为罩幕,移除暴露的顶盖层与第二介电层以形成暴露第一介电层的沟渠,再移除负光阻层。然后,依序于沟渠与介层窗开口内形成共形的障碍层以及导体层,且导体层填满沟渠与介层窗开口。
申请公布号 CN1203540C 申请公布日期 2005.05.25
申请号 CN01139647.4 申请日期 2001.11.30
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;张景旭
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种双重镶嵌结构的制造方法,该方法包括:提供一基底,该基底具有一导电层;依序于该基底上形成一保护层、一第一介电层、一第二介电层与一顶盖层;定义该顶盖层与该第二介电层,以形成一第一开口,用以定义一介层窗开口的位置;于该顶盖层上形成一图案化负光阻层,该图案化负光阻层具有一第二开口,用以定义一沟渠的位置;移除该第二开口所暴露的该顶盖层;移除该第二开口所暴露的该第二介电层以形成该沟渠,同时移除该第一开口所暴露的该第一介电层以形成该介层窗开口;移除该介层窗开口所暴露的该保护层;移除该负光阻层;以及于该沟渠与该介层窗开口内形成共形的一障碍层及其上的一导体层,该导体层填满该沟渠与该介层窗开口,其特征为:于该基底上形成该保护层、该第一介电层、该第二介电层与该顶盖层时,更包括于该第一介电层与该第二介电层间形成一蚀刻中止层,且该顶盖层同时作为一底层抗反射层;定义该顶盖层与该第二介电层时,该第一开口更暴露该蚀刻中止层的表面;以及移除该第二开口所暴露的该顶盖层时,同时移除该第一开口所暴露的该蚀刻中止层。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号