发明名称 薄膜电路材料的激光成象
摘要 薄膜电气组件的制造方法,包括在金属箔上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中。根据本发明的另一个方面,提供一种电路的制造方法,该方法包括:提供介电材料基底,在所述基底上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的导电材料层以便达到0.05-3微米的厚度,所述导电材料具有沸点,所述介电材料具有高于所述导电材料所述沸点的熔点或分解温度,并且向所述导电材料层的选定部分提供热能,以便汽化所述导电材料的选定部分,在所述基底上留下电路组件。
申请公布号 CN1203736C 申请公布日期 2005.05.25
申请号 CN00128400.2 申请日期 2000.10.13
申请人 莫顿国际公司 发明人 W·E·纳克尔;R·W·卡彭特
分类号 H05K3/02 主分类号 H05K3/02
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 段承恩
主权项 1.一种薄膜电路组件的制造方法,包括在金属箔上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中,以汽化所述薄层的选定部分。
地址 美国伊利诺斯州