发明名称 | 薄膜电路材料的激光成象 | ||
摘要 | 薄膜电气组件的制造方法,包括在金属箔上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中。根据本发明的另一个方面,提供一种电路的制造方法,该方法包括:提供介电材料基底,在所述基底上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的导电材料层以便达到0.05-3微米的厚度,所述导电材料具有沸点,所述介电材料具有高于所述导电材料所述沸点的熔点或分解温度,并且向所述导电材料层的选定部分提供热能,以便汽化所述导电材料的选定部分,在所述基底上留下电路组件。 | ||
申请公布号 | CN1203736C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
申请号 | CN00128400.2 | 申请日期 | 2000.10.13 |
申请人 | 莫顿国际公司 | 发明人 | W·E·纳克尔;R·W·卡彭特 |
分类号 | H05K3/02 | 主分类号 | H05K3/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
主权项 | 1.一种薄膜电路组件的制造方法,包括在金属箔上沉积包含掺杂了二氧化硅的铂的材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中,以汽化所述薄层的选定部分。 | ||
地址 | 美国伊利诺斯州 |