减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化

摘要

通过特别选择组分和/或淀积参数，减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层，防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供一个衬底，部分该半导体器件形成在该衬底上；在所述衬底上形成一个下电极；在所述下电极上淀积一个阻挡层；在所述阻挡层上淀积一个金属氧化物陶瓷；及对所述衬底进行退火，以形成具有良好电特性的金属氧化物陶瓷，该退火造成过量移动物质从所述金属氧化物陶瓷扩散，所述阻挡层与所述过量移动物质进行反应。