发明名称 |
Verfahren zur Verringerung parasitärer Kopplungen in Schaltkreisen |
摘要 |
Der Erfindung, die ein Verfahren zur Verringerung parasitärer Kopplungen in Schaltkreisen, bei denen für vorhergehende Herstellungsverfahrensschritte Dummy-Strukturen eingebettet sind, betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem eine Verbesserung der Entkopplungswerte erreicht und der Verfahrensaufwand reduziert wird. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Dummy-Strukturen durch Ätzschritte zumindest teilweise entfernt und Hohlräume erzeugt werden.
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申请公布号 |
DE10348641(A1) |
申请公布日期 |
2005.05.25 |
申请号 |
DE2003148641 |
申请日期 |
2003.10.15 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HELNEDER, JOHANN;SCHWERD, MARKUS;GOEBEL, THOMAS;MITCHELL, ANDREA;KOERNER, HEINRICH;DREXL, STEFAN;SECK, MARTIN |
分类号 |
H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/76;H01L27/08 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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