| 发明名称 | 半导体晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内进行不带有自转的圆运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。 | ||
| 申请公布号 | CN1203530C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN01811619.1 | 申请日期 | 2001.04.23 |
| 申请人 | 三菱住友硅晶株式会社 | 发明人 | 谷口彻;森田悦郎;又川敏;原田晴司;小野五十六;远藤光弘;吉田文彦 |
| 分类号 | H01L21/304;B24B37/04 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内进行不带有自转的圆运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||