发明名称 晶界层半导体瓷片的烧成联体炉
摘要 本实用新型涉及电子元件技术领域,公开了一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉,其排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)分别连接控温装置(13),其内并设有传送装置(10、11、12);排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5);还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7),闸门(6)外侧设有火帘(8);还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来,气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接;氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。可实现还原烧成后直接进入氧化炉,从而完成一次性烧成晶界层半导体瓷片。
申请公布号 CN2702256Y 申请公布日期 2005.05.25
申请号 CN200320119727.9 申请日期 2003.12.26
申请人 广东南方宏明电子科技股份有限公司 发明人 章士瀛;王守士;王振平;吴宾;张卓宇;余如鳌
分类号 F27B5/04 主分类号 F27B5/04
代理机构 代理人
主权项 1.晶界层半导体瓷片的烧成联体炉,其特征在于:它包括排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3),排胶炉体(1)用于瓷料的锻烧和排胶,还原烧成炉体(2)用于排胶后的瓷片还原烧成,氧化炉体(3)用于还原烧成后的瓷片氧化,排胶炉体(1)的炉膛(1a)、还原烧成炉体(2)的炉膛(2a)和氧化炉体(3)的炉膛(3a)连通;排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)内分别设有传送装置(10、11、12),可沿炉膛推动承烧物;排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5);还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7),闸门(6)外侧设有火帘(8),形成火帘密封;控温装置(13)连接排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3),分别控制此三个炉体内的烧结温度;排胶炉体(1)上设有排气装置(14),以排出排胶炉体(1)内胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体;还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来,气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接,氢气氮气发生装置(15)和气体配比装置(16)提供给还原烧成炉体(2)按所要求气体浓度成份;氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。
地址 523077广东省东莞市南城区莞太大道259号