发明名称 一种低氧低夹杂物铜铬合金触头的生产方法
摘要 本发明公开了一种真空感应熔炼和真空电渣重熔双联技术生产具有低的氧含量和低的夹杂物含量的铜铬触头材料的方法。其特点是首先通过真空感应熔炼技术制成低氧含量的铜铬合金电极棒,然后利用真空电渣重熔进一步降低铜铬合金中的夹杂物。本方法制备的铜铬合金气体含量低、组织致密、成分均匀、纯净度高,是一种高质量、高性能的真空开关触头材料。
申请公布号 CN1619000A 申请公布日期 2005.05.25
申请号 CN200310105130.3 申请日期 2003.11.19
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 王亚平;周志明;蒋鹏
分类号 C22C1/02;C22C9/00;C22B9/18 主分类号 C22C1/02
代理机构 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 代理人 张晨
主权项 1.一种真空感应熔炼和真空电渣重熔双联技术制备低氧、低夹杂铜铬触头材料的方法,其特征在于:首先将铜金属和铬金属材料按照铬含量为15wt%~75wt%的比例通过真空感应熔炼和浇铸制成电极棒;再将电极棒进一步经过真空电渣炉重新熔化和结晶,制备出低氧含量和低夹杂物的铜铬触头材料。
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