| 发明名称 | 制作可变电容的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种制作一可变电容的方法，该方法是于一基底中形成一第一导电型式的离子井以及复数个隔离结构设于离子井表面，并且使该等隔离结构于离子井表面定义出至少一主动区域。接着于离子井表面植入第一导电型式的离子，以于主动区域中形成一掺杂区。随后于基底表面形成一第二导电型式的掺杂层，以覆盖掺杂区的部分表面，以及于掺杂区、掺杂层表面形成一自行对准金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1619838A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN200310113700.3 | 申请日期 | 2003.11.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 高境鸿 |
| 分类号 | H01L29/92;H01L21/00;H01G7/00 | 主分类号 | H01L29/92 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种制作可变电容的方法，该方法包含有下列步骤：提供一基底，该基底包含有一第一导电型式的离子井以及复数个隔离结构设于该离子井表面，且该隔离结构是于该离子井表面定义出至少一主动区域；于该离子井表面植入第一导电型式的离子，以于该主动区域中形成一掺杂区；于该基底表面形成一第二导电型式的掺杂层，以覆盖该掺杂区的部分表面；以及于该掺杂区以及该掺杂层表面形成一自行对准金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||