发明名称 |
使用螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积装置 |
摘要 |
本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔,内有基体保持器支撑处理的基体;一个沉积材料源,面朝基体保持器,向处理腔内提供沉积在基体上的材料;一个气体喷射单元,朝处理腔内喷射处理气体;一个偏压电源,向基体保持器施加偏置电压;一个螺旋自谐振线圈,在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体,其一端是接地的,另一端电开放;和一个射频发生器,提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作,并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的,可以获得很高的沉积材料电离效率。 |
申请公布号 |
CN1619011A |
申请公布日期 |
2005.05.25 |
申请号 |
CN200410068244.X |
申请日期 |
2004.08.25 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
尤里·N·托尔马切夫;马东俊;瑟格里·Y·纳瓦拉;金大一 |
分类号 |
C23C14/35;H01J37/32;H01L21/203 |
主分类号 |
C23C14/35 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
马高平;杨梧 |
主权项 |
1.一个电离物理汽相沉积装置(IPVD),包括:一个处理腔,内有基体保持器支撑处理的基体;一个沉积材料源,向处理腔内提供沉积在基体上的材料,面朝基体保持器;一个气体喷射单元,朝处理腔内喷射处理气体;一个偏压电源,向基体保持器施加偏置电压;一个螺旋自谐振线圈,为处理腔内沉积材料的电离产生等离子体,其一端接地,另一端电开放;一个射频发生器,向螺旋自谐振线圈提供射频电力。 |
地址 |
韩国京畿道 |