以双频射频源产生与控制等离子体

摘要

本发明公开了一种产生与控制在使用双频射频源的半导体基底处理腔体中的等离子体的方法与设备。本方法包括，例如在一第一频率下，由射频源提供一第一射频信号至制程腔体内的一电极的步骤，以及在一第二频率下，由射频源提供一第二射频信号到制程腔体内的电极。其中第二频率与第一频率的差值等于一预定频率，其中在预定频率下，形成于制程腔体中的等离子体的特性由一等离子体鞘(plasma sheath)调变所建立。

主权项

1.一种以双频射频源产生与控制等离子体于半导体基板制程腔体的方法，其特征在于，该方法包括：在一第一频率下，由该射频源提供一第一射频信号至该制程腔体内的一电极；以及在一第二频率下，由该射频源提供一第二射频信号至该制程腔体内的该电极，该第二频率与该第一频率的差值等于一预定频率，其中在该预定频率下，形成于该制程腔体中的一等离子体的特性由一等离子体鞘调变所建立。