绝缘层有硅的低电压触发硅控整流器及静电放电防护电路

摘要

一种绝缘层上有硅的低电压触发硅控整流器结构，架构于衬底与绝缘层之上。多个隔离结构位于绝缘层上。第一与第二型阱区彼此相连。第一与第二栅极结构分别位于第一与第二型阱区之上。于前述的第一型阱中还包括第一第二型离子植入区，第一第二型离子植入区与第一第一型离子植入区构成绝缘层有硅的硅控整流器结构的阳极。第二第一型离子植入区位于第一型阱区中，且位于第一第二型离子植入区与第一栅极结构之间。第三第一型离子植入区位于第一与第二型阱区中，并位于第一与第二栅极结构之间。前述的第二型阱区，还包括第二第二型离子植入区与第四第一型离子植入区，第二第二型离子植入区与第四第一型离子植入区构成绝缘层有硅的硅控整流器结构的阴极。

主权项

1.一种绝缘层有硅的硅控整流器结构，包括：一衬底，一绝缘层，位于该衬底之上，一第一型阱区与一第二型阱区，该第一型与第二型阱区彼此相连，且位于一元件区中，一第一栅极结构，位于该第一型阱区之上，一第二栅极结构，位于该第二型阱区之上，其特征是还包括：多个隔离结构，位于该绝缘层上，以在各隔离结构之间至少定义出该元件区；一第一第二型离子植入区，位于该第一型阱区中；一第一第一型离子植入区，位于该第一型阱区中且位于该第一第二型离子植入区与该隔离结构之间，且紧邻该第一第二型离子植入区，其中该第一第二型离子植入区与该第一第一型离子植入区是电性连接以构成该绝缘层有硅的硅控整流器结构的阳极；一第二第一型离子植入区，位于该第一型阱区中，且位于该第一第二型离子植入区与该第一栅极结构之间，且紧邻该第一第二型离子植入区；一第三第一型离子植入区，位于该第一型与该第二型阱区之中，且位于该第一型与该第二型阱区的接合面位置，并位于该第一与该第二栅极结构之间；一第二第二型离子植入区，位于该第二型阱区中；以及一第四第一型离子植入区，位于该第二型阱区中且位于该第二第二型离子植入区与该第二栅极结构之间，且紧邻该第二第二型离子植入区，其中该第二第二型离子植入区与该第四第一型离子植入区是电性连接以构成该绝缘层有硅的硅控整流器结构的阴极。