| 发明名称 | 存储器、写入设备、读取设备、写入方法和读取方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器，包括：第一和第二记录层，用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度T<SUB>X1</SUB>和T<SUB>X2</SUB>具有关系T<SUB>X1</SUB>＜T<SUB>X2</SUB>。第一和第二记录层的结晶化时间t<SUB>x1</SUB>和t<SUB>x2</SUB>具有关系t<SUB>x1</SUB>＞t<SUB>x2</SUB>。R<SUB>a1</SUB>+R<SUB>a2</SUB>、R<SUB>a1</SUB>+R<SUB>c2</SUB>、R<SUB>c1</SUB>+R<SUB>a2</SUB>和R<SUB>c1</SUB>+R<SUB>c2</SUB>彼此不同，其中，非晶相中第一记录层的电阻值为R<SUB>a1</SUB>，晶相中第一记录层的电阻值为R<SUB>c1</SUB>，非晶相中第二记录层的电阻值为R<SUB>a2</SUB>，晶相中第二记录层的电阻值为R<SUB>c2</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN1203550C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN01135992.7 | 申请日期 | 2001.10.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西原孝史;儿岛理惠;山田升 |
| 分类号 | H01L27/10;G11C11/00;G11B11/08;H01L45/00 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1、一种存储器，包括：一第一记录层，用于通过利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的；和一第二记录层，用于通过利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的，其中，第一记录层的结晶化温度TX1和第二记录层的结晶化温度TX2具有关系TX1＜TX2，第一记录层的结晶化时间tx1和第二记录层的结晶化时间tx2具有关系tx1＞tx2，以及Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同，其中，非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1，晶相中第一记录层的电阻值为Rc1，非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2，晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||