发明名称 |
一种碳纳米管的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种碳纳米管的制备方法,其包括:提供一平滑基底;将磁性催化剂沉积于所述基底表面;于所述基底的上方一定距离处设置磁性元件;通入碳源气进行反应,碳纳米管从所述基底上长出。本发明于生长碳纳米管的基底的上方一定距离处设置磁性元件,所述磁性元件在碳纳米管的生长过程中所产生的磁场会引导碳纳米管沿垂直于所述基底的方向生长,从而获得笔直碳纳米管,确保碳纳米管作为分子型金属导线应用时优良的导电性能。 |
申请公布号 |
CN1618733A |
申请公布日期 |
2005.05.25 |
申请号 |
CN200310112335.4 |
申请日期 |
2003.11.22 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
翁维襄 |
分类号 |
C01B31/02;C23C16/00;C23C16/26;B01J23/74 |
主分类号 |
C01B31/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1.一种碳纳米管的制备方法,其特征在于包括以下步骤:提供一平滑基底;将磁性催化剂沉积于所述基底表面;于所述基底的上方一定距离处设置磁性元件;通入碳源气进行反应,碳纳米管从所述基底上长出。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |