| 发明名称 | 电流垂直平面巨磁阻传感器及其制造方法以及磁存储系统 | ||
| 摘要 | 一种电流垂直平面(CPP)巨磁阻(GMR)传感器(700/800)，其具有嵌入到一铁磁参考层(710)中的一复合薄膜(708)或者嵌入到一铁磁保有层(804)中的一复合薄膜(806)。通过从一铁磁金属靶和一非磁性氧化物靶同时或顺序地溅射来淀积该嵌入式复合薄膜。铁磁金属靶和非磁性氧化物靶的不同溅射功率产生铁磁金属相和非磁性氧化物相的不同体积份额。通过仔细调整这些体积份额，该CPP GMR传感器(700/800)的结电阻和面积的乘积可以被微调到一设计值因而提供用于超高密度磁记录的CPP GMR传感器(700/800)的最佳读性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1619648A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN200410074888.X | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 林·特桑 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成一电流垂直平面巨磁阻传感器的方法，包括：形成一具有第一磁性取向的铁磁保有层；形成一具有反平行于所述第一磁性取向的第二磁性取向的铁磁参考层；形成一具有响应一外部磁场而变化的一磁性取向的铁磁感应层；以及形成一具有一导电相和一绝缘相的复合薄膜。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||