| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 在氮化物材料体系中制造的半导体发光器件，具有设置在衬底上(1)上的有源区(5)。有源区(5)包括形成有源区的最下层的第一含铝层(12)，形成有源区的最上层的第二含铝层(14)，和至少一个设置在第一含铝层(12)和第二含铝层(14)之间的InGaN量子阱层(13)。含铝层(12，14)在有源区(5)中提供了改善的载流子限制，从而增加了器件的输出光功率。本发明可以应用于发光二极管(11)或激光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1619852A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN200410102340.1 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | S·胡迫尔;V·布斯快特;K·L·约翰逊;J·黑弗曼 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/343 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种在氮化物材料体系中制造的发光器件，包括衬底和在衬底上设置的有源区；其中有源区包括：形成有源区的最下层的第一含铝层；形成有源区的最上层的第二含铝层；至少一个InGaN量子阱层；和至少一个不含铝的阻挡层；且其中至少一个InGaN量子阱层设置在第一含铝层和第二含铝层之间；且所述至少一个不含铝的阻挡层设置在第一含铝层和第二含铝层之间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||