| 发明名称 | 晶圆的清洗液成分及其清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆的清洗液成分及其清洗方法，清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属；氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；第二酸用以移除浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。具有洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，并移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子及有效去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1203531C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN02146203.8 | 申请日期 | 2002.10.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨任伟;罗泽源 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/465 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种晶圆的清洗液成分，其特征是：它包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该清洗液成分的重量百分比组成浓度为：第一酸10-15％、氧化剂30-35％、第二酸0.5-1.0％及去离子水为余量；该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||