| 发明名称 |
Feldeffekttransistor, insbesondere vertikaler Feldeffekttransistor, Speicherzelle und Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
Erläutert wird unter anderem ein Feldeffekttransistor (37), der einen einkristallinen Steuerbereich (34) hat. Der Feldeffekttransistor (37) bietet Freiheitsgrade für das Schaltungsdesign und lässt sich auf einfache Art herzustellen. |
| 申请公布号 |
DE10348006(A1) |
申请公布日期 |
2005.05.25 |
| 申请号 |
DE2003148006 |
申请日期 |
2003.10.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
TEWS, HELMUT |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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