Verfahren zur Herstellung einer epitaktischen Silizium-Germanium Schicht und integriertes Halbleiterbauelement mit einer epitaktischen mit Arsen in-situ dotierten Silizium-Germanium Schicht

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer epitaktischen Silizium-Germanium-Schicht für ein integriertes Halbleiterbauelement umfaßt den Schritt der Abscheidung einer mit Arsen in situ dotierten Silizium-Germanium-Schicht, wobei Arsen und Germanium während der Abscheidung der Silizium-Germanium-Schicht nacheinander in verschiedene Bereiche der Silizium-Germanium-Schicht eingebracht werden. Durch das Trennen von Arsen und Germanium während der Abscheidung wird jegliche Wechselwirkung zwischen Arsen und Germanium vermieden, was das Herstellen von Silizium-Germanium-Schichten mit reproduzierbaren Dotierstoffprofilen erlaubt.