| 发明名称 | 硅的游离基氧化方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种对所容纳硅晶片进行游离基氧化用的装置包括：设有加热卡盘的真空室，该卡盘用于夹持硅晶片同时将硅晶片的温度保持在大约400℃至500℃之间；用于提供含氧气体以在真空室中氧化硅晶片的氧化气体源；用于将含氧气体离解成包含O(1D)态氧的离解产物的氧离解机构；和用于输送离解产物通过真空室的机构。一种硅的游离基氧化方法，其中硅取半导体纯硅晶片形式，包括：将硅晶片放置在加热卡盘中，其中加热卡盘将硅晶片的温度保持在大约400℃至500℃之间，而且加热卡盘放置在真空室中，该真空室的压力保持在大约1mTorr至2000mTorr之间；将氧化气体引入到氧离解机构中；将氧化性气体离解成包含O(1D)态氧的离解产物；将O(1D)态氧通过整个加热的硅晶片表面；和将真空室中的硅晶片保持大约1分钟至60分钟，以在晶片上形成一层二氧化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN1203536C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN02155856.6 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 大野芳睦 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 黄力行 |
| 主权项 | 1.一种对所容纳硅晶片进行游离基氧化用的装置，包括：具有加热卡盘的真空室，该卡盘用于夹持硅晶片，同时将硅晶片的温度保持在400℃至500℃之间，；用于提供含氧气体以在真空室中氧化硅晶片的氧化气体源；用于将含氧气体离解成包含O(1D)态氧的离解产物的氧离解机构；用于输送离解产物通过真空室的机构。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||