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发明名称 METHOD FOR FORMING C-MOS TRANSISTOR PREVENTING A GATE THINNING
摘要
申请公布号 KR20050049154(A) 申请公布日期 2005.05.25
申请号 KR20030083042 申请日期 2003.11.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 AHN, JONG SUN;BANG, SUK CHUL;CHUNG, EUN KUK;JANG, WOO SOON;KIM, JOON;KIM, YUNG JUN;LEE, SANG HOON
分类号 H01L21/311;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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