内存元件的增进抹除并且避免过度抹除的方法及其结构

摘要

本发明涉及非易失性存贮器元件的增进抹除的方法，且此方法可以避免存贮器元件发生过度抹除的问题。此方法包括多数个步骤，且在进行程序化/抹除周期前，可先进行这些步骤，以对存贮器元件进行预调适。此方法包括进行一个穿隧程序的步骤，以在进行程序化/抹除周期前，增加非易失性存贮器元件的启始电压值，其例如Fowler－Nordheim穿隧程序。特别是，此方法可应用具有氮化硅只读存储器元件的非易失性存贮器元件中。此方法可以减少或是完全解决非易失性存贮器元件的过度抹除的问题。另外，关于在预调适步骤中所使用的相关的结构一并揭露的。

主权项

1.一种存贮器元件的增进抹除的方法，且该存贮器元件包括一具有定域化捕捉电荷的存贮器元件结构，其特征在于，该方法包括：提供一存贮器元件，且该存贮器元件具有一特定的启始电压值；于进行一程序化/抹除周期之前，执行一程序，以增加该存贮器元件的该特定的启始电压值；以及进行该程序化/抹除周期。