发明名称 利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法
摘要 本发明是一种利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,主要系以非消耗式电极直流电浆供给能量,在常压及控制气氛下,将一高纯度的固态先驱物原料送入电浆区(plasma zone),使之气化解离,其中金属气体分子与氧反应而氧化,并以均质成核方式生成奈米级粒子,本发明所提出的方法更透过控制电浆喷出口之大小的方式,形成高速的电浆射流(plasma jet),再以大量空气冷却,以防止粒子粗化及凝结团聚,最后生成一种高纯度且高度分散之奈米级氧化物粉体。
申请公布号 TWI233321 申请公布日期 2005.05.21
申请号 TW093104176 申请日期 2004.02.20
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 廖世杰;洪松慰;林秀芬
分类号 H05H1/00 主分类号 H05H1/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其包含下列步骤:提供一种非消耗式电极直流电浆(non-transferred DCplasme)产生器的步骤,该电浆产生器具有一非消耗式电极,一电浆区及一电浆喷出口;在该电浆区生成电浆的步骤,系透过在该非消耗式电极导入直流电流的方式产生电弧(arc),并且将用以产生电浆所需的电浆生成气体(plasma gas)送至该电弧而在该电浆区生成该电浆;产生一电浆射流(plasma jet)的步骤,透过控制该电浆区之电浆喷出口之大小的方式,形成该电浆射流;将高纯度的固态先驱物原料连续送入该电浆区之电浆射流的步骤,使该固态先驱物原料气化并产生氧化反应,然后随着该电浆射流喷出;以及冷却的步骤,系利用大量冷却气体对随着该电浆射流喷出的气化原料粉体快速冷却,以生成一奈米氧化物粉体。2.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该电浆生成气体系选自于由氩、氦、氢和氮气所组成的群族之一。3.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该电浆生成气体为选自于由氩气、氮气和氢气所组成的群族中任二种或以上的混合气。4.如申请专利范围1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该固态先驱物原料的进料速度系为0.5-2.0kg/hour。5.如申请专利范围1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该固态先驱物原料系为一金属线。6.如申请专利范围1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该固态先驱物原料系为选自于由微米级的金属、金属碳酸盐、金属硝酸盐、金属草酸盐、金属含氧酸铵盐和金属氧化物粉体所组成的群族之一。7.如申请专利范围第6项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该固态先驱物原料系由一载送气体连续送入该电浆区之电浆射流。8.如申请专利范围第7项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该载送气体系选自于包含空气、氩气、氮气和氧气所组成之群组之一。9.如申请专利范围第7项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该载送气体系选自于包含空气、氩气、氮气和氧气所组成之群组中任二种或以上的混合气。10.如申请专利范围第7项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该载送气体之流速为3-25 L/min。11.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该冷却气体为空气。12.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该冷却气体为氮气。13.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该冷却气体为空气与氮气之混合气体。14.如申请专利范围第1项所述利用直流电浆热反应制造奈米氧化物粉体之方法,其中该冷却气体的流速为1-5m3/min。图式简单说明:第1图,系为实现本发明之方法的设备之功能方块图。第2图,系本发明之较佳实施例的方法步骤流程图。第3图,系为采用本发明之方法制成的氧化锌(ZnO)奈米粉体之电子显微镜照片。第4图,系为采用本发明之方法制成的氧化锡(SnO2)奈米粉体之电子显微镜照片。第5图,系为采用本发明之方法制成的氧化铝(Al2O3)奈米粉体之电子显微镜照片。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号