发明名称 氧化物晶圆的长晶装置
摘要 本创作系一种氧化物晶圆的长晶装置,其包括:一第一腔体系为氧化铝管,而内壁系设置有氧化锆毯;一设置于第一腔体内之第二腔体,系以多数氧化锆砖绕设为一环体,并将各环体加以堆叠至适当而成,而该各相邻之氧化锆砖之间系具有间隙;多数设置于第一、二腔体间之氧化锆空心球;一设置于第二腔体内之坩埚,其底部系设置有氧化锆板,并于氧化锆板下方设置有多数氧化锆空心球;一绕设于第一腔体外部之感应式加热线圈。藉此,可使该氧化物于长晶时提供稳定之制程与温度,且可达到降低制造成本之功效。
申请公布号 TWM265757 申请公布日期 2005.05.21
申请号 TW093214410 申请日期 2004.09.10
申请人 国立中山大学;中美矽晶制品股份有限公司 新竹市工业东二路8号 发明人 周明奇;徐文庆
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项 1.一种氧化物晶圆的长晶装置,其包括有:一第一腔体,该第一腔体系为一氧化铝管,而其内壁系设置有氧化锆毯;一第二腔体,该第二腔体系设置于上述第一腔体内,且该第二腔体系以多数氧化锆砖绕设为一环体,并将各环体加以堆叠至适当高度而成,而该各相邻之氧化锆砖之间系具有间隙;多数氧化锆空心球,该各氧化锆空心球系设置于上述第一、二腔体之间;一坩埚,该坩埚系设置于上述第二腔体内,且该坩埚之底部系设置有一氧化锆板,并于该氧化锆板下方设置有多数氧化锆空心球;一感应式加热线圈,该感应式加热线圈系绕设于上述第一腔体之外部。2.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该氧化铝管之耐温系介于1500℃~2000℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该厚度2mm之氧化锆毯系可耐热2400℃,能阻止30%的热散逸,藉以保持大部分的热于第一腔体中。4.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该坩埚与第二腔体之间系具有空气或氧化锆颗粒隔热材料。5.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该氧化锆空心球之尺寸系介于1~5mm之间。6.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该氧化锆空心球内部系具有空气。7.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该氧化锆板系可为多数氧化锆颗粒所制成。8.如申请专利范围第7项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该多数氧化锆颗粒之直径系介于1~5mm之间。9.如申请专利范围第1项所述之氧化物晶圆的长晶装置,其中,该感应式加热线圈系可于第一腔体外部上、下移动。图式简单说明:第1图,系本创之立体外观示意图。第2图,系本创作之剖面状态示意图。第3图,系本创作之使用状态剖面示意图。第4图,习用之剖面状态示意图。
地址 高雄市鼓山区莲海路70号