| 主权项 |
1.一种氮化镓系发光二极体之结构,其主要结构系包括:一基板;一n型氮化镓系层,其系位于该基板之上方且具表面织状化之欧姆接触区域;一发光层,其系位于该n型氮化镓系层之上方;一p型氮化镓系层,其系位于该发光层之上方;一织状纹路层,其系位于该p型氮化镓系层之上方;一导电透光氧化层,其系位于该织状纹路层上方,并与该织状纹路层形成欧姆接触;一第一电极,其系与该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域电性耦合;及一第二电极,其系与该导电透光氧化层电性耦合。2.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该织状纹路层系于磊晶过程中形成。3.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域系于制作晶粒过程中蚀刻部份该织状纹路层、p型氮化镓系层、发光层及n型氮化镓系层而形成。4.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该基板更进一步包含一织状纹路之区域。5.如申请专利范围第4项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该织状纹路之区域系于制作晶粒过程中蚀刻部份该织状纹路层、p型氮化镓系层、发光层及n型氮化镓系层而形成。6.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该导电透光氧化层其系选自下列之一氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉或氧化铟锡所组成之其中之一者。7.一种氮化镓系发光二极体之结构,其主要结构系包括:一基板;一n型氮化镓系层,其系位于该基板之上方且具表面织状化之欧姆接触区域;一发光层,其系位于该n型氮化镓系层之上方;以及一p型氮化镓系层,其系位于该发光层之上方。8.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该p型氮化镓系层之上方更进一步包含一织状纹路层。9.如申请专利范围第8项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该织状纹路层之上方更进一步包含一导电透光氧化层。10.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中更进一步包含一第一电极,其系与该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域电性耦合。11.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中更进一步包含一第二电极,其系与该导电透光氧化层电性耦合。12.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体,其中该织状纹路层系于磊晶过程中形成。13.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体,其中该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域系于制作晶粒过程中蚀刻部份该织状纹路层、p型氮化镓系层、发光层及n型氮化镓系层而形成。14.如申请专利范围第7项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该导电透光氧化层其系选自下列之一氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉或氧化铟锡所组成之其中之一者。15.一种氮化镓系发光二极体之结构,其主要结构系包括:一基板,该基板之上方具表面织状化之区域;一n型氮化镓系层,其系位于该基板之上方;一发光层,位于该n其系型氮化镓系层之上方;以及一p型氮化镓系层,其系位于该发光层之上方。16.如申请专利范围第15项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该p型氮化镓系层之上方更进一步包含一织状纹路层。17.如申请专利范围第16项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该织状纹路层之上方更进一步包含一导电透光氧化层。18.如申请专利范围第15项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该n型氮化镓系层更进一步包含具表面织状化之欧姆接触区域电性耦合。19.如申请专利范围第18项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中更进一步包含一第一电极,其系与该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域电性耦合。20.如申请专利范围第17项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中更进一步包含一第二电极,其系与该导电透光氧化层电性耦合。21.如申请专利范围第15项所述之氮化镓系发光二极体,其中该织状纹路层系于磊晶过程中形成。22.如申请专利范围第18项所述之氮化镓系发光二极体,其中该n型氮化镓系层具表面织状化之欧姆接触区域系于制作晶粒过程中蚀刻部份该织状纹路层、p型氮化镓系层、发光层及n型氮化镓系层而形成。23.如申请专利范围第15项所述之氮化镓系发光二极体之结构,其中该导电透光氧化层其系选自下列之一氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉或氧化铟锡所组成之其中之一者。图式简单说明:第一图:其系为习知技术之氮化镓系发光二极体之结构示意图。第二图:其系为习知技术之氮化镓系发光二极体之俯视图。第三图:其系为习知技术之发光层之光线行径示意图。第四图:其系为本创作之一较佳实施例之氮化镓系发光二极体之结构示意图。第五图:其系为本创作之一较佳实施例之氮化镓系发光二极体之织状纹路结构制造流程图。第六图:其系为本创作之另一较佳实施例之氮化镓系发光二极体之结构示意图。 |
