| 主权项 |
1.一种发光二极体之制程,包含:(A)在一基材上磊晶形成一可以光电效应产生光的磊晶层单元;(B)在该磊晶层单元上形成一可导电且可透光的透明导电层;(C)将经过步骤(B)后所完成之半成品,置于一正压环境下,以300℃至500℃之温度作用15至45分钟,使该透明导电层之晶粒改质;及(D)形成一与该磊晶作动层单元电连接的第一欧姆电极,及一与该透明导电层电连接的第二欧姆电极。2.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该基材是选自于由下列所构成之群组中的物所构成:蓝宝石、碳化矽、氧化锌、玻璃、氮化镓、氮化铝,及此等之组合。3.依据申请专利范围第1或2项所述发光二极体之制程,其中,该步骤(A)是先在该基材上磊晶形成一以氮化镓为材料之n型披覆层,再在该n型披覆层上磊晶形成一以氮化铟镓为材料之活性层,再在该活性层上磊晶形成一以氮化镓为材料之p型披覆层,而使该n型披覆层、活性层与p型披覆层共同构成该磊晶层单元。4.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,更包含一实施在该步骤(A)之后的步骤(E),该步骤(E)包含(E1)将该基材及形成在该基材上之磊晶层单元浸入丙酮中以超音波震荡作用后取出,再以纯水冲洗后烘乾;(E2)再将经过步骤(E1)之该基材及形成在该基材上之磊晶层单元浸入王水清洗后取出,再以纯水冲洗后烘乾;及(E3)将经过步骤(E2)之该基材及形成在该基材上之磊晶层单元浸入N-甲基咯酮中清洗后取出,再以纯水冲洗,直到冲洗过该基材及形成在该基材上之磊晶层单元之污水的水阻値不小于12M后,将该基材及形成在该基材上之磊晶层单元取出烘乾。5.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该步骤(B)是在一离子气氛下镀膜形成该透明导电层。6.依据申请专利范围第5项所述发光二极体之制程,其中,该离子气氛是选自于由下列所构成之群组中的物所构成:O2、CF4、SF6、O3,及此等之组合。7.依据申请专利范围第5项所述发光二极体之制程,其中,镀膜形成该透明导电层时温度须介于25℃~700℃,压力须介于2x10-6~1.8x10-3 Torr。8.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该透明导电层是选自于由下列所构成之群组中的物为材料所形成:铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌铝氧化物、锌镓氧化物,及此等之组合。9.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,其中,该步骤(C)实施时之该正压环境是纯氧气氛,且压力不低于1Kpa。10.依据申请专利范围第1项所述发光二极体之制程,更包含一实施在步骤(C)之后的步骤(F),该步骤(F)是以一氧离子电浆对该基材、形成在该基材上的该磊晶层单元,及形成在该磊晶层单元上的该透明导电层进行表面处理。11.依据申请专利范围第10项所述发光二极体之制程,其中,该步骤(F)是以能量介于10~1000瓦特之氧离子电浆,表面处理1~2000秒。12.依据申请专利范围第3项所述发光二极体之制程,其中,该第一欧姆电极是与该n型披覆层相电连接。图式简单说明:图1是一示意图,说明一具有透明导电层之发光二极体的结构;图2是一流程图,说明制备如图1所示之发光二极体的制造流程;图3是一流程图,说明以本发明发光二极体之制程的一较佳实施例制备如图1所示之发光二极体;图4是一实验验证曲线图,说明以本发明与以习知方式分别制备完成的发光二极体在工作电压上的差异,且本发明所制备完成的发光二极体确实较以习知方式所制备完成的发光二极体的工作电压为低。 |
