发明名称 沉积薄膜的反应腔室
摘要 提供的是一种沉积薄膜的反应腔室。反应腔室包括:反应器区块、位于反应器区块里的晶圆区块、覆盖反应器区块的顶板(以维持预定压力)、供应反应性气体的进给单元、安装于顶板的莲蓬头(其包括多个用于喷洒第一反应性气体于晶圆上的第一喷洒孔,以及多个用于喷洒第二反应性气体于晶圆上的第二喷洒孔)、从反应器区块排出气体的排放单元。进给单元包括:进给区块、分配区块、两条或更多条的第一气体传输管线、第二气体传输管线。莲蓬头包括上扩散区块、中扩散区块和下扩散区块。
申请公布号 TWI233146 申请公布日期 2005.05.21
申请号 TW092136503 申请日期 2003.12.23
申请人 IPS股份有限公司 发明人 赵炳哲;俞根在;林弘周;裴将虎;李相奎;庆炫秀
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种沉积薄膜的反应腔室,反应腔室包括:反应器区块、位于反应器区块里的晶圆区块、覆盖反应器区块的顶板(以维持预定压力)、供应第一反应性气体和第二反应性气体的进给单元、安装于顶板的莲蓬头(其包括多个用于喷洒供应自进给单元之第一反应性气体于晶圆上的第一喷洒孔,以及多个用于喷洒供应自进给单元之第二反应性气体于晶圆上的第二喷洒孔)、从反应器区块排出气体的排放单元,该进给单元包括:连接至莲蓬头的进给区块;连接至第一气体供应线的分配区块,以均匀分配第一反应性气体;两条或更多条的第一气体传输管线,其将进给区块连接至分配区块;以及第二气体传输管线,其形成于进给区块的中央,并且连接至第二气体供应线,该莲蓬头包括:连接至进给单元底部的上扩散区块、附着于上扩散区块底部的中扩散区块、附着于中扩散区块底部的下扩散区块,上扩散区块包括:连接至进给区块的连接单元,其包括多个分别连接至第一气体传输管线的第一进给孔,以及包括连接至第二气体传输管线的第二进给孔;形成于连接单元底部上的多个第一主要流动路径,其分别连接至第一进给孔,并且绕着连接单元的中央呈放射对称地形成;以及形成于连接单元底部上的多个第一次要流动路径,其从每个第一主要流动路径垂直地延伸出来,中扩散区块包括:形成于中扩散区块上的多个第二主要流动路径,其分别对应于第一主要流动路径;形成于中扩散区块上的多个第二次要流动路径,其分别对应于第一次要流动路径;多个第一分配孔,其以规律的间隔形成于第二次要流动路径和第二主要流动路径;以及第二分配孔,其连接至第二进给孔,下扩散区块包括:多个第一喷洒孔,其分别连接至第一分配孔,以用于喷洒第一反应性气体于晶圆上;以及多个第二喷洒孔,其形成于第一喷洒孔之间,以用于喷洒第二反应性气体于晶圆上。2.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中第一气体传输管线乃对称地配置于进给区块和分配区块之间。3.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中具有多个凸起部分和多个凹陷部分的扩散区域乃形成于下扩散区块的顶面上,并且第一喷洒孔形成于凸起的部分,而第二喷洒孔形成于凹陷的部分。4.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中温度感应器和加热器乃装在进给区块上,以控制反应性气体的温度。5.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中上扩散区块的每个第一次要流动路径的形状乃相同于中扩散区块的每个第二次要流动路径,并且上扩散区块的每个第一主要流动路径的形状乃相同于中扩散区块的每个第二主要流动路径。6.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中第一进给孔的数目乃与第一主要流动路径的数目和第二主要流动路径的数目之各者成比例。7.如申请专利范围第1项的反应腔室,其中上扩散区块、中扩散区块和下扩散区块乃整合地形成。图式简单说明:图1是根据本发明的沉积薄膜之反应腔室的剖面图;图2是图1所示之顶板和莲蓬头的部分俯视立体图;图3是图1所示之顶板和莲蓬头的部分仰视立体图;图4是图1所示之进给单元的立体图;图5示范图2和3所示之上扩散区块的底部;图6示范图2和3所示之中扩散区块的顶部;图7示范图2和3所示之中扩散区块的底部;图8示范图2和3所示之下扩散区块的顶部;图9示范图2和3所示之下扩散区块的底部;以及图10到13示范第一主要流动路径、第二主要流动路径、第一次要流动路径和第二次要流动路径的可能图案。
地址 韩国