超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法与结构

摘要

本发明提供一种超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法与结构。此方法先将一已制备有复数个基底晶粒之第一晶圆，选择性地胶合到晶粒大小及位置等预先设计好之匹配之一第二基板上，再将第一晶圆之厚度研磨变薄。再切割选择性黏合之晶圆中之第一晶圆，可避免直接切割研磨后之第一晶圆厚度太薄所产生之问题。再将所需接合之堆叠晶粒接合后，最后封装所得之一积体电路(IC)中至少包括一基底晶粒与一个或复数个堆叠晶粒，且其大小即为基底晶粒与堆叠后之堆叠晶粒超出部分之和之大小，其厚度为第二基板之厚度与研磨后基底晶粒以及黏胶之厚度和，接近传统晶圆之厚度，以利封装之进行。因此，透过本发明之晶粒封装方法，可以得到一堆叠晶粒封装结构，可用以将不同制程所得之晶粒封装在一起，藉此可组合不同晶圆流程之晶粒，以及以堆叠技术达成封装时轻薄短小之需求。若再加上，在提供该些堆叠晶粒或基底晶粒之步骤中，先进行检测已知良品(KGD)之制程，则更可提高本发明制程之良率，并节省成本。

主权项

1.一种超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,包括:提供一第一晶圆,具有复数个基底晶粒;提供一第二基板,其上之位置已经预先设计好而可以与该第一晶圆匹配;将该第一晶圆含有该些基底晶粒之一第一表面,以复数个黏胶选择性地将复数个特定之区域,与该第二基板之一第一表面黏合,得到一选择性黏合晶圆,该第一晶圆与该第二基板之一间距为该黏胶之一黏胶厚度;形成复数个独立晶粒组,每一该独立晶粒组系由该基底晶粒与部分该第二基板所组成,而其形成步骤包括:对该第一晶圆之一第二表面切割该选择性黏合晶圆,其中切割之深度大于该第一晶圆之厚度,但小于该第一晶圆厚度与该黏胶厚度之和;以及对该第二基板之一第二表面切割该选择性黏合晶圆,其中切除之深度大于该第二基板之厚度,但小于该第二基板之厚度与该黏胶之厚度之和,以形成该些独立晶粒组;以及对该些独立晶粒组进行封装。2.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在提供具有该些基底晶粒之第一晶圆时,更包括对该些基底晶粒进行一检测已知良品(Known Good Die, KGD)之制程。3.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在形成该些独立晶粒组后与对该些独立晶粒组进行封装之前,更包括:提供一堆叠晶粒;以及接合该堆叠晶粒与该独立晶粒组上之该基底晶粒。4.如申请专利范围第3项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在提供该堆叠晶粒之步骤之时,更包括对该堆叠晶粒进行一检测已知良品(KGD)之制程。5.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在形成该些独立晶粒组后与对该些独立晶粒组进行封装之前,更包括:提供复数个堆叠晶粒;以及接合该些堆叠晶粒与该独立晶粒组上之该基底晶粒。6.如申请专利范围第5项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在提供该些堆叠晶粒之步骤之时,更包括对该些堆叠晶粒进行一检测已知良品(KGD)之制程。7.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第一晶圆之厚度,介于500mm至200mm之间。8.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在得到该选择性黏合晶圆后,与切割该选择性黏合晶圆之该第一晶圆之该第二表面前,更包括对该选择性黏合晶圆之该第一晶圆之该第二表面进行研磨。9.如申请专利范围第8项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在研磨该选择性黏合晶圆之该第一晶圆之该第二表面后,该第一晶圆之厚度介于250mm至30mm之间。10.如申请专利范围第8项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在研磨该选择性黏合晶圆之该第一晶圆之该第二表面后,该第一晶圆之厚度介于80mm至30mm之间。11.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板,其上具有复数个晶粒大小,该些晶粒之位置已经预先设计好而可以与该第一晶圆匹配。12.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中形成该些黏胶之一方法,包括一点胶法。13.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中形成该些黏胶之一方法,包括预先制作一双面黏胶,于该双面黏胶上特定之一区域,配置有该些黏胶。14.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中在得到该选择性黏合晶圆之后,与形成复数个独立晶之前,更包括一加热固化(thermal curing)步骤用以固化并强化该些黏胶。15.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中切割该选择性黏合晶圆之一方法,包括一钻石刀(diamond blade)切割法以及一雷射切割(laser cut)法其中之一。16.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为一玻璃基板。17.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为一矽晶圆基板。18.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为一塑胶基板。19.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为一压克力基板。20.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为一聚合物基板。21.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为具有透明特性之材质。22.如申请专利范围第1项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法,其中该第二基板为具有不透明之材质。23.一种超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,系由一独立晶粒组所组成,而该独立晶粒组系由一选择性黏合晶圆切割而得,其中该选择性黏合晶圆系由一第一晶圆与一第二基板,以复数个黏胶相黏合而组成,其中该第一晶圆上具有复数个基底晶粒,而该第一晶圆与该第二基板之间距为该黏胶之一黏胶厚度,而该独立晶粒组则由一基底晶粒与部分该第二基板所组成。24.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中形成该些独立晶粒组之步骤包括:对该第一晶圆之一第二表面切割该选择性黏合晶圆,其中切割之深度大于该第一晶圆之厚度,但小于该第一晶圆厚度与该黏胶厚度之和;以及对该第二基板之一第二表面切割该选择性黏合晶圆,其中切除之深度大于该第二基板之厚度,但小于该第二基板之厚度与该黏胶之厚度之和,以形成该些独立晶粒组。25.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中更包括一堆叠晶粒,接合于该独立晶粒组上之该基底晶粒。26.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中更包括复数个堆叠晶粒,接合于该独立晶粒组上之该基底晶粒。27.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第一晶圆之厚度,介于30mm至250mm之间。28.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第一晶圆之厚度,介于30mm至80mm之间。29.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板,其上具有复数个晶粒大小,该些晶粒之位置已经预先设计好而可以与该第一晶圆匹配。30.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为一玻璃基板。31.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为一矽晶圆基板。32.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为一塑胶基板。33.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为一压克力基板。34.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为一聚合物基板。35.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为具有透明特性之材质。36.如申请专利范围第23项所述之超薄晶圆级堆叠晶粒封装结构,其中该第二基板为该第二基板为具有不透明之材质。图式简单说明:第1图至第8图绘示一超薄晶圆级堆叠封装方法流程之三视图,系依照本发明之一实施例。