| 主权项 |
1.一种半导体制造装置,系热处理被处理物以形成半导体,其特征在于具备有以下构件:炉芯管,开放轴线方向两端部,且形成收容被处理物的炉空间;第1盖部,与炉芯管另体设置于炉芯管之轴线方向一端部,以可开闭方式闭塞炉芯管的轴线方向一端部,形成有与炉空间相连的开口;以及第2盖部,与炉芯管另体设置于炉芯管之轴线方向另一端部,闭塞炉芯管的轴线方向另一端部,形成有与炉空间相连的开口。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中测定炉空间的温度之温度测定手段系插通设置在第2盖部。3.如申请专利范围第2项之半导体制造装置,其中更具备有:密封第2盖部与温度测定手段之间的间隙之测定手段用密封构件;以及冷却测定手段用密封构件之测定手段密封冷却手段。4.如申请专利范围第3项之半导体制造装置,其中在第2盖部形成有用以冷却上述测定手段用密封构件之测定手段密封冷却冷煤流动的测定手段密封冷却流路,上述测定手段密封冷却手段使测定手段密封冷却冷煤在测定手段密封冷却流路流动。5.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中测定手段密封冷却流路系藉由一个路径使供给有测定手段密封冷却冷煤的供给口与排出测定手段密封冷却冷煤的排出口相连。6.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中更具备有:用以密封炉芯管与第2盖部之间的间隙之炉芯管用密封构件;以及用以冷却炉芯管用密封构件的炉芯管密封冷却手段。7.如申请专利范围第6项之半导体制造装置,其中在第2盖部形成有用以冷却上述炉芯管用密封构件之炉芯管密封冷却冷煤流动的炉芯管密封冷却流路,上述炉芯管密封冷却手段使炉芯管密封冷却冷煤在炉芯管密封冷却流路流动。8.如申请专利范围第7项之半导体制造装置,其中炉芯管密封冷却流路系藉由一个路径使供给有炉芯管密封冷却冷煤的供给口与排出测定手段密封冷却冷煤的排出口相连。9.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体制造装置,其中炉芯管其与轴线方向垂直的剖面形状系于轴线方向上一样地形成。10.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中上述热处理系回火处理。11.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中上述热处理系进行电极材料与半导体的合金化,为确保欧姆接面而加热被处理物的合金处理。12.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中上述热处理系添加杂质之半导体的扩散处理。13.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中上述热处理系藉由磊晶生长进行之薄膜生成处理。图式简单说明:图1系本发明一实施形态之半导体制造装置20的剖面图。图2(A)系从图1的II-II切断面线观看的半导体制造装置20,图2(B)系其他半导体装置的比较例之剖面图。图3系习知的半导体制造装置1的剖面图。 |
