| 主权项 |
1.一种光学记录媒体,包含:一透明基底;一配置于透明基底上之下保护层;一记录层,其含有相位改变材料,其系配置于下保护层上;一配置于记录层上之上保护层;及一介面层,其被配置于至少下列两者之一:介于记录层与下保护层之间及介于记录层与上保护层之间,其中光学记录媒体具有范围从8m/s至11m/s之一转变线性速度,如藉由使用一具有0.65之数値孔径(NA)的拾讯头以照射其具有111mW之功率及66010nm之波长的连续光而决定,并满足下列条件:R=|Rb-Ra|≦3%其中R系介于Ra与Rb之间的差异之绝对値;Rb系未记录区域之反射率,而Ra系十个记录循环后之一眼睛型态的顶部之反射率,及其中光学记录媒体系可记录以第一记录模式及第二记录模式之至少两记录模式,其中第一记录模式系其光学记录媒体被旋转以一恒定角速度以具有3m/s至4m/s之线性速度于记录在光学记录媒体之最内轨道上时及具有8m/s至9m/s之线性速度于记录在光学记录媒体之最外轨道上时,而第二记录模式系其光学记录媒体被旋转以一恒定角速度以具有5m/s至6m/s之线性速度于记录在光学记录媒体之最内轨道上时及具有13m/s至14m/s之线性速度于记录在光学记录媒体之最外轨道上时。2.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,进一步包含:一配置于上保护层上之硫化阻绝层;及一配置于硫化阻绝层上之反射层,其中一摇摆沟槽系形成于透明基底之上,该摇摆沟槽具有0.740.03m之轨道节距、22nm至40nm之沟槽深度、0.17m至0.30m之沟槽宽度,下保护层包含ZnS及SiO2之混合物,记录层中之相位改变材料包含Sb及Te(为主要成分),上保护层包含ZnS及SiO2之混合物,硫化阻绝层包含至少Si与SiC之一,及反射层包含至少Ag与Ag合金之一。3.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中下保护层具有40nm至220nm之厚度。4.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中上保护层具有2nm至20nm之厚度。5.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中记录层中之相位改变材料具有0.74至0.85之Sb比Sb与Te总和之原子比率[Sb/(Sb+Te)],其中相位改变材料进一步包含至少Ag,In,及Ge之一,其中Ag,In,及Ge之总和相对于相位改变材料中之总原子数的比率系从0.04至0.10,及其中Ag,In,及Ge相对于相位改变材料中之总原子数的原子比率满足下列条件:0≦Ag≦0.01、0.02≦In≦0.06、及0.02≦Ge≦0.06。6.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中记录层中之相位改变材料具有0.74至0.79之Sb比Sb与Te总和之原子比率[Sb/(Sb+Te)],其中相位改变材料进一步包含至少Ag,In,及Ge之一,其中Ag,In,及Ge之总和相对于相位改变材料中之总原子数的比率系从0.04至0.10,及其中Ag,In,及Ge相对于相位改变材料中之总原子数的原子比率满足下列条件:0≦Ag≦0.01、0.02≦In≦0.06、及0.02≦Ge≦0.06。7.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中记录层中之相位改变材料进一步包含至少Ag,In,及Ge之一,其中相位改变材料具有满足下列条件之原子组成:0≦Ag≦0.015、0.010≦In≦0.080、0.600≦Sb≦0.800、0.100≦Te≦0.300、及0.010≦Ge≦0.080,其中Ag,In,及Ge之总和相对于相位改变材料中之总原子数的原子比率系从0.050至0.090,及其中Ag相对于相位改变材料中之Ag,In,及Ge总和的原子比率[Ag/(Ag+In+Ge)]系1.10或更小。8.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中光学记录媒体满足下列条件:3.5<[Rmaxv-RCv]<5,其中RCv系记录层之一再结晶化关键速度(m/s);而Rmaxv系记录层之一最大记录线性速度(m/s)。9.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中记录层具有8nm至22nm之厚度。10.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中反射层具有90nm至200nm之厚度。11.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中硫化阻绝层具有3nm至22nm之厚度。12.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中硫化阻绝层含有Si及SiC之90mol%或更多。13.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中介面层包含至少一选自ZrO2,TiO2,SiO2,Al2O3,及Ta2O5之氧化物。14.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中介面层包含ZrO2,TiO2,及至少选自包括稀土金属氧化物及元素周期表之族群IIa元素(除了Be及Ra之外)的氧化物之一。15.如申请专利范围第14项之光学记录媒体,其中至少选自稀土金属氧化物及元素周期表之族群IIa元素(除了Be及Ra之外)的氧化物之一被包含以相对于ZrO2之1mol%至10mol%之量。16.如申请专利范围第13项之光学记录媒体,其中TiO2被包含以总氧化物之10mol%至50mol%的量。17.如申请专利范围第14项之光学记录媒体,其中TiO2被包含以总氧化物之10mol%至50mol%的量。18.如申请专利范围第1项之光学记录媒体,其中介面层具有1nm至22nm之厚度。图式简单说明:图1系一图形,其显示用于DVD+RW媒体之一记录系统的一范例,其中标记及空白被记录多次。图2系一图形,其显示用于DVD+RW媒体之一记录系统的另一范例,其中标记及空白被记录多次。图3系再结晶化关键速度之一解释图。图4系一转变线性速度之解释性概略图。图5系一图形,其显示介于转变线性速度与调变因数之间的关系,其系以12.8mW Pb之2.4x速度来记录。图6A及6B系概略图形,其说明一调变因数随一渐增之转变线性速度而减少,其系以相同的记录脉冲波长来记录,其中图6A显示一被供应以利形成非晶标记之一连串脉冲的前脉冲、及由于记录所形成之一非晶相位,图6B显示一第二脉冲、及一减小的非晶面积。图7A、7B及7C为图形,其显示一非晶标记改变其介于高转变线性速度与低转变线性速度之间的尺寸,其中图7A显示一多脉冲,图7B显示一使用具有高转变线性速度之记录层以记录时所形成的非晶标记,及图7C显示一使用具有低转变线性速度之记录层以记录时所形成的非晶标记。图8系一概图,其显示一非晶标记被照射以雷射光,及一晶体生长并延伸自其介于非晶区域与结晶区域之间的介面。图9系一显示介于温度与晶体生长率之间的关系之图形。图10系一图形,其显示于光学记录媒体上记录以4x速度之重复循环中的Itop改变,该光学记录媒体已被起始于不同的条件下且具有不同的反射率于一未记录区域中。图11A、11B、及11C显示以4x速度记录之范例A-1的光学记录媒体之记录性质,其中图11A显示Tw(抖动)之改变,图11B显示调变因数(mod.)之改变,而图11C显示Itop之改变。图12A、12B、及12C显示以2.4x速度记录之范例A-1的光学记录媒体之记录性质,其中图12A显示/Tw(抖动)之改变,图12B显示调变因数(mod.)之改变,而图12C显示Itop之改变。图13系一图形,其显示依据以4x速度记录之范例A-2的光学记录媒体之抖动。图14系一图形,其显示依据以4x速度记录之范例A-3的光学记录媒体之抖动。图15系一图形,其显示依据以4x速度记录之范例A-4的光学记录媒体之抖动。图16系一图形,其显示以4x速度17mW之Pb多次依据范例A-1及比较范例A-1而记录于光学记录媒体上的Itop改变。图17系一图形,其显示紧接在初始化后以4x速度记录时依据比较范例A-1之光学记录媒体的抖动,及在初始化后两周以4x速度记录之重复循环时其一未记录区域中的抖动。图18系范例中所备制之光学记录媒体的层架构之概图。图19系一图形,其显示依据范例B-1、B-2、B-3、及B-4、及比较范例B-1及B-2之光学记录媒体的抖动之改变,以14m/s之媒体旋转线性速度记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图20系一图形,其显示依据范例B-1、B-2、B-3、及B-4、及比较范例B-1及B-2之光学记录媒体的抖动之改变,以8.4m/s之媒体旋转线性速度记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图21系一依据范例B-1、B-2、B-3、及B-4之光学记录媒体的抖动改变之图形,以CAV1X记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图22系一依据范例B-1、B-2、B-3、及B-4之光学记录媒体的抖动改变之图形,以CAV1.6X记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图23系一依据范例B-3、B-5、B-6、B-7及B-8、及比较范例B-3、B-4及B-5之光学记录媒体的抖动改变之图形,以14m/s之媒体旋转线性速度记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图24系一依据范例B-3、B-5、B-6、B-7及B-8、及比较范例B-3、B-4及B-5之光学记录媒体的抖动改变之图形,如藉由保持已记录一次之光学记录媒体于80℃及85%相对湿度(RH)100小时所决定。图25系一依据范例B-3及B-9、及比较范例B-6及B-7之光学记录媒体的抖动改变之图形,以14m/s之媒体旋转线性速度记录之1循环、2循环、10循环、及100循环。图26系一图形,其显示依据范例B-3、B-10、B-11及B-12之光学记录媒体的记录功率与抖动之间的关系,以14m/s之媒体旋转线性速度记录的1000循环。图27系一图形,其显示依据范例B-13之一光学记录媒体的氧化物层厚度与抖动之间的关系。图28系依据范例B-13之光学记录媒体的抖动改变之图形,如藉由保持已记录一次之光学记录媒体于80℃及85%相对湿度(RH)100小时所决定。图29系一图形,其显示依据范例B-13之光学记录媒体的TiO2量与抖动之间的关系,当其氧化物层具有2nm之厚度时。 |
