| 主权项 |
1.一种电激发光装置之画素单元,包括: 一扫描线,对应该画素单元,用以传送一电压信号, 其中,该电压信号具有一第一状态及一第二状态; 一资料线,对应该画素单元; 一电流镜电路,包括一第一电晶体及一第二电晶体 ,且该第二电晶体之闸极耦接该第一电晶体之闸极 ,其中,根据该电压信号之该第一状态,一第一电流 流经该第一电晶体而至该资料线,且与该第一电流 成比例之一第二电流流经该第二电晶体; 一发光二极体,耦接该第二电晶体;以及 一电容器,根据该电压信号之该第一状态而被该第 一电流充电至一电压位准,且在该电压信号之该第 二状态期间,维持该第二电流。 2.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,更包括: 一第一开关电晶体,接收该电压信号;以及 一第二开关电晶体,接收该电压信号。 3.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,更包括一重置电路,用以重置该发光二极 体。 4.如申请专利范围第3项所述之电激发光装置之画 素单元,其中,该重置电路包括一电晶体,跨越该发 光二极体而配置。 5.如申请专利范围第3项所述之电激发光装置之画 素单元,其中,该重置电路包括一电晶体,该电晶体 之闸极耦接前一扫描线。 6.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,其中,该第一电晶体之通道宽长比系该第 二电晶体之通道宽长比之倍数。 7.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,其中,该第一电流等于该第二电流乘上通 道宽长。 8.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,其中第一电流由以下式子所表示, 其中,I系表示第一电流,系表示载子的移动度,COX 系表示氧化层电容,W/L系表示第一电晶体之宽长比 ,VC系表示该电压位准,VT系表示第一电晶体之门槛 电压。 9.如申请专利范围第1项所述之电激发光装置之画 素单元,其中,该电压位准维持一画框时间。 10.一种电激发光装置,包括: 复数扫描线,每一该扫描线传送对应之一电压信号 ,且该电压信号具有一第一状态及一第二状态; 复数资料线;以及 一画素阵列,每一该画素对应一组交错之该扫描线 及该资料线,其中,每一该画素包括: 一电流镜电路,包括一第一电晶体及一第二电晶体 ,且该第二电晶体之闸极耦接该第一电晶体之闸极 ,其中,根据对应之该电压信号之该第一状态,一第 一电流流经该第一电晶体而至对应之该资料线,且 与该第一电流成比例之一第二电流流经该第二电 晶体; 一发光二极体,耦接该第二电晶体;以及 一电容器,根据对应之该电压信号之该第一状态而 被该第一电流充电至一电压位准,且在对应之该电 压信号之该第二状态期间,维持该第二电流。 11.如申请专利范围第10项所述之电激发光装置,其 中,每一该画素更包括一第一开关电晶体及一第二 开关电晶体,且该第一及第二开关电晶体接收对应 之该电压信号。 12.如申请专利范围第10项所述之电激发光装置,其 中,每一该画素更包括一电晶体,该电晶体之闸极 耦接前一扫描线,该电晶体之第一端及第二端分别 耦接该发光二极体之两端。 13.如申请专利范围第10项所述之电激发光装置,其 中,该第一电晶体之通道宽长比系该第二电晶体之 通道宽长比之倍数。 14.如申请专利范围第10项所述之电激发光装置,其 中第一电流由以下式子所表示, 其中,I系表示第一电流,系表示载子的移动度,COX 系表示氧化层电容,W/L系表示第一电晶体之宽长比 ,VC系表示该电压位准,VT系表示第一电晶体之门槛 电压。 15.一种操作电激发光装置之方法,包括下列步骤: 提供复数扫描线; 提供复数资料线; 提供一显示阵列,每一该画素对应一组交错之该扫 描线及该资料线; 传送一电压信号至对应该等画素之一者之该扫描 线,其中,该电压信号具有一第一状态及一第二状 态; 于每一该画素中提供一电流镜电路,其中,该电流 镜电路包括一第一电晶体及一第二电晶体,且该第 二电晶体之闸极耦接该第一电晶体之闸极; 根据该电压信号之该第一状态,使一第一电流流经 该第一电晶体而至对应该画素之该资料线; 根据该电压信号之该第一状态,使与该第二电流成 比例之一第二电流流经该第二电晶体; 耦接一发光二极体至该第二电晶体; 根据该电压信号之该第一状态,以该第一电流对一 电容器充电至;以及 在该电压信号之该第二状态期间,维持该第二电流 。 16.如申请专利范围第15项所述之操作电激发光装 置之方法,更包括,于每一该画素中提供一第一开 关电晶体及一第二开关电晶体。 17.如申请专利范围第16项所述之操作电激发光装 置之方法,更包括,使该第一电流流经该第一电晶 体及该第二开关电晶体而至对应之该资料线。 18.如申请专利范围第15项所述之操作电激发光装 置之方法,更包括,于每一该画素中提供一电晶体, 该电晶体之闸极耦接前一扫描线,该电晶体之第一 端及第二端分别耦接该发光二极体之两端。 19.如申请专利范围第15项所述之操作电激发光装 置之方法,更包括重置该发光二极体。 20.如申请专利范围第15项所述之操作电激发光装 置之方法,其中,该第一电晶体之通道宽长比系该 第二电晶体之通道宽长比之倍数。 图式简单说明: 第1图系表示本发明一实施例之EL装置之画素之电 路图。 第2图系表示本发明二实施例之EL装置之画素之电 路图。 |
