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发明名称 PATTERN FORMATION METHOD USING SILICON PROTECTIVE LAYER FOR IMPROVING AN ETCHING SELECTIVITY OF A PHOTORESIST FILM IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050047300(A) 申请公布日期 2005.05.20
申请号 KR20030081107 申请日期 2003.11.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 MIN, GYUNG JIN;SHIN, CHUL HO
分类号 H01L21/027;(IPC1-7):H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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