发明名称 Dotierverfahren für vollständig verarmte SOI-Strukturen und Bauteil, das die resultierenden dotierten Gebiete enthält
摘要
申请公布号 DE10297679(T5) 申请公布日期 2005.05.19
申请号 DE2002197679T 申请日期 2002.12.17
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 WEI, ANDY C.;WRISTERS, DERICK J.;FUSELIER, MARK B.
分类号 H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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