| 发明名称 |
Halbleiterbauelement mit entartet dotiertem Halbleiterkoerper und sehr duenner pn-UEbergangs-flaeche sowie Verfahren zum Herstellen dieses Halbleiterbauelements, insbesondere Tuneldiode oder Esaki-Diode |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1209208(B) |
申请公布日期 |
1966.01.20 |
| 申请号 |
DE1961J020861 |
申请日期 |
1961.11.21 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
JUN. FREDERICK HAYES DILL |
| 分类号 |
C30B31/00;H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/36;H01L29/68;H01L29/88 |
主分类号 |
C30B31/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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