负微分电阻场效应晶体管及其电路

摘要

本发明公开了一种改进型负微分电阻场效应晶体管(NDR－FET)。该NDR－FET包括在衬底(可以是硅或SOI)与栅极绝缘层之间的交界面之上或者极靠近该交界面形成的电荷陷获层。这样，可以优化电荷陷阱，以便非常快速陷获和去陷获电荷，因为它们非常靠近热载流子的沟道。NDR－FET还可以替换传统NDR二极管以及存储单元内的类似器件，而且激活仅需要单沟道技术(即代替CMOS)而且还提供低功率的整组逻辑电路。

主权项

1.一种半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底；以及电介质层，位于所述半导体衬底上，以致在半导体衬底与所述电介质层之间形成交界面区域；沟道，位于所述交界面区域附近，该沟道可以承载从与导通条件有关的第一电流值到与非导通条件有关的第二电流值变化的电流，所述第二电流值基本小于所述第一电流值；多个载流子陷获点，位于所述交界面区域内，并被配置成陷获被控制电场电偏置、从而从所述沟道流入所述交界面区域的载流子；其中所述陷获点的特征在于，其能级高于所述沟道的导带，而低于所述电介质层的导带，而且所述陷获点具有这样的浓度和排列，以致利用根据所述控制电场的值调整所述电流的所述陷获点的作用，使所述沟道内的电流可以在所述第一电流值与所述第二电流值之间变化。