| 发明名称 | 氮化镓基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN1617364A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200410088165.5 | 申请日期 | 2004.10.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 司空坦;白好善;李成男;孙重坤;李元硕 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种III-V族GaN基半导体器件，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一包括设置在所述n型GaN基化合物半导体层上的交替叠置的量子阱和势垒层的有源层；一设置在所述有源层上的AlGaN扩散阻挡层；一形成于所述AlGaN扩散阻挡层上的InGaN牺牲层；以及一设置在所述InGaN牺牲层上的p型GaN基化合物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||