发明名称 | 用于射频磁通的屏蔽 | ||
摘要 | 建议了一种可以被调节到一个特殊的射频范围以表现特殊的导磁率的微结构材料。典型的材料是由容性元件的阵列如非导体衬底上的导体材料卷或螺旋构成的。这些材料可以用作屏蔽材料,该屏蔽材料对其被调节到的特殊频带是有效的。在一个实例中,卷2-5的方向垂直于屏蔽1的表面,反射或吸收垂直冲击到反射表面上的电磁辐射的磁性矢量。 | ||
申请公布号 | CN1618145A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
申请号 | CN01809122.9 | 申请日期 | 2001.03.06 |
申请人 | 马科尼英国知识产权有限公司 | 发明人 | M·C·K·威尔特希尔;I·R·杨 |
分类号 | H01Q17/00;H01Q15/00 | 主分类号 | H01Q17/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;张志醒 |
主权项 | 1.一种用于RF磁通的屏蔽,包括一个容性元件阵列,该阵列根据预定频带内的入射电磁辐射表现预定的导磁率,其中每个元件包括一个低电阻路径,并且使得预定频带内的电磁辐射的电磁分量感应在所述路径内流动并通过所述相关的元件的电流,其中元件之间的间隔小于预定频带内的辐射的波长,且其中元件的波长和它们之间的间隔被选择为使得为预定频带内的电磁辐射提供具有零或负的实数部分的导磁率。 | ||
地址 | 英国考文垂 |