| 发明名称 | 以表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种有机薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明，不管是否使用有机绝缘材料，都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1617367A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200410100501.3 | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 慎重汉;韩国珉;徐银美;巴马托夫·伊夫吉尼;希贝夫·瓦莱里 |
| 分类号 | H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1、一种有机TFT，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||