| 发明名称 | 低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计 | ||
| 摘要 | 本发明低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其中包括：砷化镓衬底；该衬底上生长一层重掺杂的N型砷化镓子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；该基区上为铟镓磷发射区；最上面一层为作欧姆接触用的帽层。 | ||
| 申请公布号 | CN1617313A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200310110889.0 | 申请日期 | 2003.11.10 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 石瑞英;龚敏 |
| 分类号 | H01L21/331;H01L29/737 | 主分类号 | H01L21/331 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其特征在于，器件的结构包括：---半绝缘砷化镓衬底；---N+掺杂的砷化镓子收集区，该N+掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上；---该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；---该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；---该基区上为铟镓磷发射区；---最上面一层为作欧姆接触用的帽层。 | ||
| 地址 | 610064四川省成都市望江路29号 | ||