| 发明名称 | 发光二极管的制造方法及其结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管的制造方法及其结构，其中该制造方法的步骤包括提供一成长基板；在该成长基板上成长一半导体芯片；将一金属基板与该半导体芯片进行黏合；去除该成长基板；以及分别形成一第一电极及一第二电极在该半导体芯片之下及该金属基板之上。该发光二极管结构包括一用以发光的半导体芯片；一金属基板，其利用黏合技术形成在该半导体芯片上；以及一第一电极及一第二电极，其分别形成在该半导体芯片之下及该金属基板之上，以提供一电流至该半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN1617360A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200310115623.5 | 申请日期 | 2003.11.10 |
| 申请人 | 华上光电股份有限公司 | 发明人 | 张盼梓;宋盈彻 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨;郭凤麟 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管的制造方法，其步骤包括：提供一成长基板；在该成长基板上成长一半导体芯片；将一金属基板与该半导体芯片进行黏合；去除该成长基板；以及分别形成一第一电极及一第二电极在该半导体芯片之下及该金属基板之上。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||