发明名称 Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mit einer Oberflaechenschicht aus Siliziumoxyd und Verfahren zum Herstellen
摘要
申请公布号 DE1211335(B) 申请公布日期 1966.02.24
申请号 DE1962J022108 申请日期 1962.07.16
申请人 INTERMETALL GESELLSCHAFT FUER METALLURGIE;ELEKTRONIK M.B.H. 发明人 JUST DR. DIETER;RUEFENACHT RICHARD
分类号 H01L21/00;H01L21/316 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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