氮化物只读存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物只读存储器的制造方法，并将氮化物只读存储器与外围逻辑电路的制程步骤整合，以简化制程并提高产品合格率。本发明技术的特征在于利用复晶硅层做为绝缘层(氧化层)的研磨停止层(Polishing stoplayer)。本发明技术的另一特征为在形成绝缘层(氧化层)于外围区域的多个第一沟槽的同时也填入所述氧化层于内存数组区域中的复晶硅结构间以防止半导体基材于复晶硅的自行对准硅化物步骤中与金属(例如：钴)发生反应。本发明技术的再一特征为利用成长ONO介电层于浅沟槽内侧，以防止浅沟槽的边角凹陷及防止浅沟槽在后续加热过程中导致的浅沟槽轮廓变形所产生的错位。

主权项

1.一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基材，所述基材表面包含有一记忆区域及一外围区域；成长一垫氧层于所述半导体基材上；于所述记忆区域内的所述垫氧层上形成具多个第一开口的第一屏蔽图案，以作为多条纵向排列的位线屏蔽；于所述半导体基材中进行一离子布植制程，植入掺杂物于未被所述位线屏蔽覆盖的记忆单元区域中以形成多条纵向且平行的埋藏式位线；去除所述位线屏蔽；以及形成一第二屏蔽图案于所述垫氧层上，其中第二屏蔽图案具多个第二开口于所述周边区域中；沿上述第二开口选择性蚀刻所述半导体基材而形成多个第一沟槽及一第二沟槽于所述周围区域；去除所述第二屏蔽图案及所述垫氧层；于所述半导体基材表面形成一ONO介电层，以覆盖所述记忆区域及所述外围区域；沉积一复晶硅层于所述ONO介电层上以填充所述多个第一及所述第二沟槽；选择性蚀刻所述复晶硅层以于所述记忆区域中形成多个正交于位线的复晶硅结构作为字符线，且同时于所述外围区域中移除填充于所述多个第一沟槽的复晶硅，并留下填充于第二沟槽的复晶硅；以及于所述外围区域的多个第一沟槽及所述记忆区域的字符线间形成一绝缘材。