氮化铝单晶薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底台不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和氧化镁单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。

主权项

1、一种氮化铝单晶薄膜，包括单晶基片和在其表面生长的氮化铝薄膜(1)，其特征是：所述单晶基片是氧化镁单晶基片(2)。