减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺

摘要

本发明涉及一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀：反应气体中溴化氢的流量为100－500sccm，氮气的流量为1－50sccm，氦/氧气的流量为0－100sccm，上下电极功率分别为400－1500w、0－200w，压力为10－50mTorr。本发明针对新型的硬掩模层(Hardmask)的结构，使用四氟化碳刻蚀RCHX+硅的氧化物组成的硬掩膜层，氟与碳可以形成少量的(CF₂)_n的聚合物，从而保护硬掩膜层的侧壁，氧气的加入可以产生更多的F原子，加速硬掩膜层的刻蚀，减少微沟道的产生。

主权项

1、一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜：反应气体中含氟气体四氟化碳的流量为0-80sccm，氧气的流量为0-15sccm，氩气的流量为0-500sccm，上下电极功率分别为400-1000w、0-1000w，压力为5-20mTorr；(2)去胶：采用独立的去胶室去胶；(3)多晶硅刻蚀：反应气体中氧气的流量为1-5sccm，氮气的流量为1-50sccm，二氟甲烷的流量为0-100sccm，氯气的流量为50-500sccm，上下电极功率分别为400-1500w、0-1000w，压力为20-100mTorr；(4)过刻蚀：反应气体中溴化氢的流量为100-500sccm，氮气的流量为1-50sccm，氦/氧气的流量为0-100sccm，上下电极功率分别为400-1500w、0-200w，压力为10-50mTorr。