发明名称 |
碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片,该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构,避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。 |
申请公布号 |
CN1617357A |
申请公布日期 |
2005.05.18 |
申请号 |
CN200410067487.1 |
申请日期 |
2004.10.26 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
叶振华;胡晓宁;丁瑞军;何力 |
分类号 |
H01L31/101;H01L31/0296;H01L27/146 |
主分类号 |
H01L31/101 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
1.一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片,包括:GaAs衬底(1),与GaAs衬底牢固结合的CdTe过渡层(2),在CdTe过渡层上有一维或二维排列的微台面(3)及爬坡公共电极(4),微台面(3)上In球(5)和(6),爬坡公共电极(4)上有In球(7),其特征在于:所说的微台面依次由:In掺杂的N型HgCdTe层301,掺杂浓度为2.0-8.0×1017,厚度为1.5-3.5μm;Hg空位掺杂的p型HgCdTe层302,掺杂浓度为5.0-15.0×1015,厚度为4.0-7.0μm;Hg空位掺杂的p型HgCdTe势垒阻挡层303,掺杂浓度为6.0-16.0×1015,厚度为0.1-0.6μm;Hg空位掺杂的p型HgCdTe层304,掺杂浓度为4.0-12.0×1015,厚度为7.0-12.0μm;在p型HgCdTe层304的表面部分区域有一通过B+注入的n+区域305组成;In掺杂的N型HgCdTe层(301)和Hg空位掺杂的p型HgCdTe层(302)构成响应较短红外波长的P-N台面异质结;Hg空位掺杂的p型HgCdTe层(304)和n+区域(305)构成响应较长红外波长的P-n+平面结。 |
地址 |
200083上海市玉田路500号 |