| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置，该晶体管又具有在绝缘基板(100)上形成的多晶半导体薄膜(2)。该半导体装置，在半导体薄膜(100)内具有沟道区域(80)、分别位于沟道区域(80)两侧的源极区域(91)和漏极区域(92)。沟道区域(90)含有第一导电型的杂质和与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质二者，它由第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层(2a)和第一导电型或第二导电型中任何一种占支配地位的第二层(2b)层叠构成，经绝缘膜(3)与第一层(2a)相对地形成栅极电极(4)。源极区域(91)和漏极区域(92)由与在第二层(2b)中占支配地位的导电型相反的导电型构成。采用这种结构，可降低断开电流，同时容易控制阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1618130A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN02827883.6 | 申请日期 | 2002.02.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山本伸一;西尾干夫;河北哲郎;筒博司 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征为，具有带有在绝缘基板上形成的多晶的半导体薄膜的薄膜晶体管；在所述半导体薄膜内具有沟道区域、和分别位于该沟道区域两侧的源极区域与漏极区域，所述沟道区域含有第一导电型杂质、和作为与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质双方，该沟道区域是通过由所述第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层与所述第一导电型或第二导电型任一个占支配地位的第二层层叠而构成的，经绝缘膜与所述第一层相对而形成栅极电极，所述源极区域和漏极区域，由与在所述第二层上占支配地位的导电型相反的导电型构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||