| 发明名称 | 晶片加工方法 | ||
| 摘要 | 一种用于沿分割线分割具有光学器件的晶片的晶片加工方法，该光学器件形成在被以晶格图案形成于前表面的分割线截取的多个区域中，包括：激光束施加步骤，施加一个能够沿分割线穿过晶片的激光束，从晶片的后表面形成具有预定深度的破坏层；防护板粘贴步骤，将一个防护板粘贴到要形成破坏层的晶片的前表面；分割步骤，沿着破坏层分割前表面粘贴有防护板的晶片；以及研磨步骤，在晶片粘贴有防护板的状态下对沿着破坏层被分割的晶片的后表面进行研磨，从而除去破坏层。 | ||
| 申请公布号 | CN1617305A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200410085521.8 | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 永井祐介;青木昌史;小林贤史 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/304;B23K26/00;B24B1/00;B28D5/00 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于沿分割线分割具有光学器件的晶片的晶片加工方法，该光学器件形成在被以晶格图案形成于前表面的分割线截取的多个区域中，包括：激光束施加步骤，施加一个能够沿分割线穿过晶片的激光束，从晶片的后表面形成具有预定深度的破坏层；防护板粘贴步骤，将一个防护板粘贴到具有形成破坏层的晶片的前表面；分割步骤，沿着破坏层分割前表面粘贴有防护板的晶片；以及研磨步骤，在晶片粘贴有防护板的状态下对沿着破坏层被分割的晶片后表面进行研磨，从而除去破坏层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||