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发明名称 METHODS FOR FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号 KR20050045697(A) 申请公布日期 2005.05.17
申请号 KR20030079861 申请日期 2003.11.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHOE, JEONG DONG;LEE, SUNG YOUNG;OH, CHANG WOO;PARK, DONG GUN
分类号 H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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