首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD FOR FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING RADICAL OXIDATION
摘要
申请公布号 KR20050045505(A) 申请公布日期 2005.05.17
申请号 KR20030079590 申请日期 2003.11.11
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, KYOUNG SEOK;KIM, MIN;LEAM, HUN HYEOUNG;LEE, HYEON DEOK;LEE, JAI DONG;LEE, JU BUM;LEE, SEUNG JAE
分类号 H01L21/308;H01L21/311;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/308
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com