发明名称 多晶矽薄膜的制造方法以及多晶矽薄膜电晶体的制造方法
摘要 一种多晶矽薄膜的制造方法,此方法系提供一基底,接着于基底上依序形成一绝缘层与一非晶矽层,然后于非晶矽层上形成一金属层,其后将一电流通过金属层,以使非晶矽层转变成一多晶矽层。
申请公布号 TW200516774 申请公布日期 2005.05.16
申请号 TW092130682 申请日期 2003.11.03
申请人 国立中山大学 发明人 张鼎张;刘柏村;陈纪文;叶炳宏;王敏全;吴兴华;戴亚翔
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市鼓山区莲海路70号
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